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SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器

SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器

型號(hào):R&S®SMW200A

產(chǎn)品時(shí)間:2023-11-06

簡(jiǎn)要描述:

SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器
R&S®SMW200A 是一種矢量信號(hào)發(fā)生器,適用于Z嚴(yán)苛的應(yīng)用。 得益于靈活性、性能以及直觀化操作,這款矢量信號(hào)發(fā)生器可用于生成復(fù)雜的高質(zhì)量數(shù)字調(diào)制信號(hào)。
R&S®SMW200A 是一款數(shù)字調(diào)制信號(hào)發(fā)生器,適用于新型寬帶通信系統(tǒng)的開發(fā)、3G 和 4G 基站的驗(yàn)證或航空航天和國(guó)防工業(yè)應(yīng)用。

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詳細(xì)介紹

SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器

R&S®SMW200A 是一種矢量信號(hào)發(fā)生器,適用于zui嚴(yán)苛的應(yīng)用。 得益于靈活性、性能以及直觀化操作,這款矢量信號(hào)發(fā)生器可用于生成復(fù)雜的高質(zhì)量數(shù)字調(diào)制信號(hào)。

R&S®SMW200A 是一款數(shù)字調(diào)制信號(hào)發(fā)生器,適用于新型寬帶通信系統(tǒng)的開發(fā)、3G 和 4G 基站的驗(yàn)證或航空航天和國(guó)防工業(yè)應(yīng)用。

內(nèi)部基帶zui高 2 GHz 的 I/Q 調(diào)制帶寬滿足第四代及第五代標(biāo)準(zhǔn)(5G、LTE Advanced 及 IEEE 802.11ac/ad),R&S®SMW200A 是為滿足未來需求而設(shè)計(jì)的。 模塊化可擴(kuò)展架構(gòu)便于用戶根據(jù)實(shí)際應(yīng)用優(yōu)化發(fā)生器,并在需要時(shí)進(jìn)行升級(jí)。

用戶可添加一個(gè)附加射頻路徑、zui多兩個(gè)基帶以及四個(gè)衰落模擬器模塊 – 信號(hào)質(zhì)量不會(huì)受到任何影響。 因此,R&S®SMW200A 可以創(chuàng)建以往需要多臺(tái)儀器或根本無法實(shí)施的信號(hào)場(chǎng)景。 從 MIMO(zui高 8x2)以及 LTE Advanced 載波聚合(包括衰落)到多標(biāo)準(zhǔn)無線電,以往從未有一臺(tái)儀器具備如此高度的信號(hào)生成能力。

如果需要兩個(gè)以上的射頻通道,則可以連接附加的 R&S®SGMA 信號(hào)發(fā)生器模塊。 直觀化、基于觸摸屏的操作概念為用戶提供測(cè)量(不管復(fù)雜程度)概覽,并快速提供所需的結(jié)果。

SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器主要特點(diǎn):

滿足您的所有要求

  • 頻率范圍介于 100 kHz 至 3 GHz、6 GHz、12.75 GHz、20 GHz、31.8 GHz 或 40 GHz
  • 可選的附加射頻路徑( 100 kHz 至 3 GHz、6 GHz、12.75 GHz 或 20 GHz)
  • 通用配置: 從單通道矢量信號(hào)發(fā)生器到多通道 MIMO 接收機(jī)測(cè)試儀
  • 具有zui多八個(gè)信號(hào)源以及zui多 32 個(gè)衰落通道,非常適用于 MIMO、MSR 或 LTE Advanced 應(yīng)用
  • 采用模塊化體系架構(gòu),以便更好地適應(yīng)手頭上的應(yīng)用

簡(jiǎn)化設(shè)置

  • 輕松生成復(fù)雜信號(hào)
  • 在兩個(gè)具有實(shí)時(shí)編碼器及 ARB 的內(nèi)部基帶模塊上,zui多有八個(gè)基帶發(fā)生器
  • 內(nèi)部數(shù)字增加基帶信號(hào),即便存在頻率及電平偏移
  • 寬帶基帶及矢量信號(hào)發(fā)生器集于一體
  • 支持所有重要的數(shù)字標(biāo)準(zhǔn),比如 5G 候選空中接口、LTE(zui高第 12 版)、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、
    CDMA2000®/1xEV-DO、WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac/ad
  • 不需要符合數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)的單獨(dú)的 PC 軟件
  • 生成適用于模塊、接收機(jī)及 DFS 測(cè)試的雷達(dá)信號(hào)場(chǎng)景
  • LTE 及 3GPP 測(cè)試用例向?qū)В阌诟鶕?jù) 3GPP TS 25.141 或 3GPP TS 36.141 輕松進(jìn)行基站*性測(cè)試
  • 包絡(luò)跟蹤及 AM/AM、AM/φM 預(yù)失真選件,用于充分測(cè)試和驗(yàn)證 ET 調(diào)制器芯片組

將現(xiàn)實(shí)帶到實(shí)驗(yàn)室

  • 可選集成式衰落模擬器,用于在zui高 160  MHz 的帶寬下進(jìn)行通道仿真
  • 所有重要的衰落場(chǎng)景均已預(yù)設(shè)
  • 安裝zui多四個(gè)衰落模塊,提供多達(dá) 32 個(gè)“邏輯”衰減器
  • 使用單個(gè)儀器實(shí)施所有重要的 MIMO 衰落場(chǎng)景,比如 2x2、3x3、4x4、8x4 及 4x8
  • 支持復(fù)雜的應(yīng)用,比如雙載波 HSPA、LTE 載波聚合以及 MIMO 和多用戶 LTE)
  • 連接 R&S®SGT100A 信號(hào)發(fā)生器模塊,以zui多提供八個(gè)射頻通道

優(yōu)化設(shè)備

  • 的信號(hào)質(zhì)量,有助于在頻譜和調(diào)制測(cè)量中確保高準(zhǔn)確度
  • 內(nèi)部基帶zui高 2 GHz I/Q 調(diào)制帶寬(射頻帶寬)
  • 在 2 GHz 帶寬內(nèi),調(diào)制頻率響應(yīng)為 <0.4 dB(測(cè)量值)
  • 脈沖調(diào)制,開關(guān)比為 > 80 dB 以及上升/下降時(shí)間為
  • 的頻譜純度(在 1 GHz、20 kHz 偏置下,SSB 相位噪聲通常為 –139 dBc)
  • 相位相參選項(xiàng),比如用于波束賦形應(yīng)用
  • 3 GHz、6 GHz 及 12.75 GHz 射頻通道(帶電子衰減器)

加快開發(fā)

  • 直觀化操作概念以及智能幫助功能,幫助用戶很快取得成功
  • 關(guān)鍵操作元素框圖,直觀呈現(xiàn)信號(hào)流
  • 自適應(yīng) GUI,提供簡(jiǎn)單及復(fù)雜場(chǎng)景的概覽
  • 圖形化信號(hào)監(jiān)控,幾乎覆蓋信號(hào)流中的每個(gè)點(diǎn)
  • 提供完整用戶文件的上下文有關(guān)在線幫助系統(tǒng)
  • SCPI 宏記錄器及代碼發(fā)生器,用于通過手動(dòng)操作步驟生成可執(zhí)行的遠(yuǎn)程控制代碼(比如,針對(duì) MATLAB®、CVI 等)

根據(jù)您的需求不斷改進(jìn)

  • 儀器定制化,以適應(yīng)幾乎所有的應(yīng)用
  • 便于改造基帶模塊的*插件系統(tǒng),無需重新校準(zhǔn)儀器
  • 可隨時(shí)進(jìn)行軟件升級(jí),只需通過密鑰單快速激活
  •  

 

規(guī)格

頻率
頻率范圍,射頻通道 AR&S®SMW-B103100 kHz 至 3 GHz
 R&S®SMW-B106100 kHz 至 6 GHz
 R&S®SMW-B112100 kHz 至 12.75 GHz
 R&S®SMW-B120100 kHz 至 20 GHz
 R&S®SMW-B131100 kHz 至 31.8 GHz
 R&S®SMW-B140/-B140N100 kHz 至 40 GHz
頻率范圍,射頻通道 B(可選,詳見 R&S®SMW200A 數(shù)據(jù)表了解可能的射頻通道配置)R&S®SMW-B203100 kHz 至 3 GHz
 R&S®SMW-B206100 kHz 至 6 GHz
 R&S®SMW-B212100 kHz 至 12.75 GHz
 R&S®SMW-B220100 kHz 至 20 GHz
設(shè)置時(shí)間SCPI 模式< 1.2 ms,600 μs(典型值)
電平
電平范圍3 MHz ≤ f < 20 GHz–120 dBm 至 +18 dBm (PEP)
 R&S®SMW-B131,R&S®SMW-B140/-B140N–120 dBm 至 +15/+18 dBm (PEP),取決于射頻
設(shè)置時(shí)間SCPI 模式< 1 ms,600 μs(典型值)
 R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220,帶機(jī)械步進(jìn)衰減器轉(zhuǎn)換< 25 ms
頻譜純度
諧波電平 < 10 dBm,CW< –30 dBc
 R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220,
f  >3.5 GHz
< –55 dBc
非諧波具有全量程直流輸出的 CW 或矢量調(diào)制,電平 > –10 dBm,
載波偏移 > 10 kHz,200 MHz < f ≤ 1500 MHz
 標(biāo)準(zhǔn)< –80 dBc
 帶 R&S®SMW-B22 選件< –90 dBc
SSB 相位噪聲CW,載波偏移 = 20 kHz,f = 1 GHz
 標(biāo)準(zhǔn)< –131 dBc,–135 dBc
 帶 R&S®SMW-B22 選件< –136 dBc,–139 dBc
 CW,載波偏移 = 20 kHz,f = 10 GHz
 標(biāo)準(zhǔn)< –111 dBc,–115 dBc
 帶 R&S®SMW-B22 選件< –116 dBc,–119 dBc
模擬調(diào)制
支持的模擬調(diào)制模式 AM,F(xiàn)M(可選),φM(可選),脈沖(可選)
I/Q 調(diào)制
射頻調(diào)制帶寬具有內(nèi)部寬帶基帶,“I/Q 寬帶”開
 300 MHz ≤ f ≤ 2.5 GHz±40% 的載波頻率
 f > 2.5 GHz±1 GHz
 具有內(nèi)部 標(biāo)準(zhǔn)基帶,“I/Q 寬帶”開,f ≥ 250 MHz±80 MHz
射頻調(diào)制帶寬中的調(diào)制頻率響應(yīng)具有內(nèi)部寬帶基帶,“I/Q 寬帶”開< 1.0 dB,< 0.4 dB(測(cè)量值)
寬帶基帶發(fā)生器R&S®SMW-B9 選件,zui多可安裝 2 個(gè)基帶發(fā)生器
信號(hào)帶寬取決于選件zui高 2000 MHz
ARB 存儲(chǔ)深度取決于選件zui高 2 Gsample
頻率偏移取決于選件zui高 -1000 MHz 至 + 1000 MHz
標(biāo)準(zhǔn)基帶發(fā)生器R&S®SMW-B10 選件,zui多可安裝 2 個(gè)基帶發(fā)生器
信號(hào)帶寬取決于選件zui高 160 MHz
ARB 存儲(chǔ)深度取決于選件zui高 1 Gsample
頻率偏移取決于選件zui高 -80 MHz 至 +80 MHz
 
數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)
支持的標(biāo)準(zhǔn)及調(diào)制系統(tǒng) 5G 候選空中接口、LTE 版本 8/9/10/11,12、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、CDMA2000®、1xEV-DO Rev. A/B、 WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac/ad、AWGN 等等
衰落和 MIMO
衰落模擬器R&S®SMW-B14 選件,zui多可安裝 4 個(gè)衰落模塊
衰落帶寬 zui大 160 MHz
衰落信道取決于選件zui多 32
MIMO 衰落場(chǎng)景取決于選件2x2、4x2、2x4、3x3、4x4、8x4、4x8、8x2、2x8、4x2x2 等
衰落模式取決于選件多通道, 移動(dòng)延時(shí), 生滅, 高速列車, 雙通道干擾裝置
衰落剖面圖取決于選件Rayleigh、Rice、純多普勒、靜態(tài)通道、高斯等
 

 

 


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